PT6004N-3～4串锂离子/锂聚合物电池保护芯片

PT6004N-3～4串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 DataSheet

概述
    PT6004N是一款专为保护3～4串锂离子/聚合物电池的电池保护芯片，可降低因电池过充，过放，过温和/或过流条件而导致的电池损坏或寿命缩短的风险。
±25mV的过充电检测电压精度保证电池安全的全容量充电。±10mV的电流检测电压精度保证放电过流准确触发。
    PT6004N的充电过温保护阈值和放电过温保护阈值可通过外部电阻独立设置。
    PT6004N可以直接驱动外部N型的充电MOSFET和N型放电MOSFET。
    PT6004N通过NSEL引脚的设置可保护3串或者4串的电池包
    PT6004N的低功耗设计让电池包在存储阶段只消耗微不足道的电流。

特点
内置高精度电压检测电路：
过充电检测电压：VCOV= 4.1V to 4.35V；50mV/step
精度：±25mV
过充电滞后电压：VΔCOV=0~300mV；100mV/step
过放电检测电压：VCUV=2.3V to 2.9V；200mV/step
精度：±80mV
过放电滞后电压：VΔCUV=300mV~900mV；200mV/step
内置三段放电过电流检测电路：
过电流1检测电压：VPDOC1= 50mV to 150mV；25mV/step
精度：±10mV
过电流2检测电压：VPDOC2= 2* VPDOC1
精度：±20mV
负载短路检测电压：VPSC=4* VPDOC1
精度：±50mV
内置独立的充电过温和放电过温保护，可通过外部电阻独立设置充电过温保护阈值和放电过温保护阈值
内置充电低温保护
各种延迟时间可通过外部电容设置
低消耗电流：
工作状态时：典型值24μA
休眠状态时：< 1μA
封装：TSSOP-16